硅衬底异质外延生长氮化镓(GaN)是一种颠覆性的半导体材料生长技术，以GaN为代表的III族氮化物半导体器件在低功耗、小尺寸、高能效等方面具有独特优势。

氮化铝(AlN)薄膜材料具有直接宽带隙、耐高温、抗辐照、压电效应强等优异特性，在紫外光电子、功率电子、微波通信领域前景广阔。

精密电容传感阵列具有结构简单、体积小、功耗低等优势，是显示触控、薄膜开关、指纹识别等信息领域的基础元器件，在智能家居、生物信息识别、消费电子等领域具有广泛的应用。

印刷制备的透明导电薄膜兼具透光性和导电性，且易于大面积及制备、成本低、基材兼容性优异等特点，成为ITO电极的理想替代，在PDLC智能调光膜、OLED信息显示、薄膜光伏电池以及透明视窗的电磁屏蔽薄膜等领域应用广泛。

精密印刷制造工艺制备多层精密电路具有低成本、大面积制造等优势，成为基于光刻-显影等减材制程的重要补充，在Mini-LED电路、多模态传感器件、先进封装技术等领域具有广阔的应用前景。