• 化合物半导体材料外延

      • 硅基氮化镓异质外延

        硅衬底异质外延生长氮化镓(GaN)是一种颠覆性的半导体材料生长技术,以GaN为代表的III族氮化物半导体器件在低功耗、小尺寸、高能效等方面具有独特优势。

      • 氮化铝异质外延

        氮化铝(AlN)薄膜材料具有直接宽带隙、耐高温、抗辐照、压电效应强等优异特性,在紫外光电子、功率电子、微波通信领域前景广阔。

    • GaN光电子器件

      • Micro-LED

        氮化镓基Micro-LED由于其自发光、电流密度高、工作温度范围广、输出亮度高(最高达1,000,000nit、30倍OLED)、像素点独立开关等优势,可大大缩小光机体积,光效和动态对比度得到显著提升,在增强和虚拟现实、移动终端显示、车载显示等多领域具有变革性替代前景。

      • 紫外光电子器件

        铝镓氮(AlGaN)基紫外发光二极管(LED)的发光波长覆盖210–400 nm波段,在杀菌消毒、水净化、医美、工业固化、非直视紫外光通信等领域具有广阔应用前景。

      • 氮化镓基蓝绿光激光器

        GaN基蓝、绿光半导体激光器(LD)具有极佳单色性、效率高、功率密度大、方向性好等优点,作为投影显示、激光加工、激光照明、存储与海底通信、原子钟与量子传感器等领域核心光源,具有重要的应用前景与广泛的市场需求。

    • GaN电子器件

      • 功率电子器件

        GaN功率器件具有击穿电场强度高、耐高温工作、高频高效等优势,将广泛应用于消费电子、工业电子、汽车电子以及国防军事等电源转换领域。

      • 射频电子器件

        GaN射频器件具有高频率、高功率、高效率、耐高温、抗辐射等优异特性,在微波毫米波频段的尖端军事装备和民用通信基站甚至5G移动终端等领域优势显著。

    • 智能MEMS器件

      • 铁电MEMS器件

        铁电MEMS传感器整合铁电材料抗辐照、耐低温、高精度材料特性优势和MEMS系统优势,研发力、热、声、光、电等多种类铁电MEMS传感器,可实现强辐照、大温差等极端环境下空间环境参量的高精度原位测量,广泛应用于航天级探测传感。

      • 高温模拟芯片

        高温芯片在175℃的高温情况下可以长时间稳定工作,打破国外禁运,可实现温漂小、高精度信号采集、传输和处理,在石油钻井及测井、航空航天电子设备、重型工业过程控制、发电机组及重型内燃机等领域具有庞大的市场空间与前景。

      • 时频芯片

        为了打破时钟精准器件的国外垄断,研发自主产权时频芯片,利用硅基MEMS振荡器及加热元件和温度传感器使工作温度保持定值的恒温方法另时频芯片频率稳定度最高达ppb级。

    • 精密印刷电子

      • 印刷电容传感阵列

        精密电容传感阵列具有结构简单、体积小、功耗低等优势,是显示触控、薄膜开关、指纹识别等信息领域的基础元器件,在智能家居、生物信息识别、消费电子等领域具有广泛的应用。

      • 透明导电薄膜

        印刷制备的透明导电薄膜兼具透光性和导电性,且易于大面积及制备、成本低、基材兼容性优异等特点,成为ITO电极的理想替代,在PDLC智能调光膜、OLED信息显示、薄膜光伏电池以及透明视窗的电磁屏蔽薄膜等领域应用广泛。

      • 印刷多层精密电路

        精密印刷制造工艺制备多层精密电路具有低成本、大面积制造等优势,成为基于光刻-显影等减材制程的重要补充,在Mini-LED电路、多模态传感器件、先进封装技术等领域具有广阔的应用前景。

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