化合物半导体材料外延

• 硅基氮化镓异质外延

  硅衬底异质外延生长氮化镓(GaN)是一种颠覆性的半导体材料生长技术，以GaN为代表的III族氮化物半导体器件在低功耗、小尺寸、高能效等方面具有独特优势。

• 氮化铝异质外延

  氮化铝(AlN)薄膜材料具有直接宽带隙、耐高温、抗辐照、压电效应强等优异特性，在紫外光电子、功率电子、微波通信领域前景广阔。