行业资讯更多

    新闻动态更多

    我院资讯更多

      研究方向

      RESEARCH DIRECTION

      化合物半导体材料外延

      • 硅基氮化镓异质外延

        硅衬底异质外延生长氮化镓(GaN)是一种颠覆性的半导体材料生长技术,以GaN为代表的III族氮化物半导体器件在低功耗、小尺寸、高能效等方面具有独特优势。
      • 氮化铝异质外延

        氮化铝(AlN)薄膜材料具有直接宽带隙、耐高温、抗辐照、压电效应强等优异特性,在紫外光电子、功率电子、微波通信领域前景广阔。
      GaN光电子器件
      GaN电子器件
      智能MEMS器件
      精密印刷电子
      友情链接

      Copyright © 广东中科半导体微纳制造技术研究院版权所有 粤ICP备20002154号