近年来，随着5G网络、物联网、新能源汽车等领域的快速发展，高性能微波射频器件、电力电子器件的市场整体规模正在急剧扩大和增长。由于第三代（宽禁带）半导体材料氮化镓（GaN）具有大的禁带宽度、高的击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率，以其制备的电子器件相比于传统的硅半导体器件具有更高的工作频率、功率密度、耐压和耐热能力，较好的导热性能和热稳定性，更强抗辐照能力等优势。因此，GaN材料及器件有望广泛应用于消费、工业甚至汽车等电力转换领域，以及微波、毫米波频段的尖端军事装备和民用通信基站甚至低压移动终端等射频领域，正迅速发展成为我国建设节能减排、信息化智能化社会，践行创新驱动发展战略的重要支撑技术之一，也是半导体科学的研究前沿和全球高科技竞争的关键领域之一。

事实上，目前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在消费电子、射频基站等领域已经表现出其独特的优势，并开启了产业化进程。而由于其高工作频率、高转换效率、高能量密度的优势，在服务器、激光雷达甚至汽车电机驱动等电力电子领域，以及手机射频芯片、军用雷达等射频电子领域均急需GaN HEMT的深入应用，以期为相关领域提供更加坚实的基础性支撑。然而，GaN材料及器件的可靠性是其走进这些高端应用领域的关键制约因素。相关研究仍需从材料和器件物理的角度，深入研究缺陷态等与器件电学性能的关联机制及其加固方法等，最终实现高性能、高可靠的GaN射频与电力电子器件。